9001w以诚为本入口-金沙9001w以诚为本入口-9001cc金沙以诚为本

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0755-28444777
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金沙9001w以诚为本入口9001cc金沙以诚为本恒温晶振(OCXO)
产品介绍
石英晶体(Crystal)
表晶（KHZ）
石英晶体（MHZ）
热敏晶体（TSX）
车规级晶体(AECQ Crystal)
石英晶振(Oscillator)
CMOS晶振(CMOS XO)
差分晶振(Differential XO)
超低抖动(Ultra Low Jitter XO)
宽温晶振（Wide Temp. XO）
车规级晶振(AEC-Q200 XO)
可编程晶振(Programmable)
CMOS可编程（CMOS XO）
差分晶振(Differential XO）
可编程压控晶振（VCXO）
可编程温补晶振（TCXO）
可编程压控温补(VCTCXO）
可编程展频晶振(SSXO)
压控晶振(VCXO)
CMOS压控晶振(CMOS VCXO)
差分压控(Differential VCXO)
温补晶振(TCXO)
差分温补(Differential TCXO)
高精度温补(High Precision TCXO)
压控温补晶振(VCTCXO)
压控温补(CMOS VCTCXO)
差分压控温补(VCTCXO）
恒温晶振(OCXO)
超低噪声OCXO
超高稳OCXO
小型化OCXO
国产化OCXO
时钟芯片
差分时钟buffer
单端时钟buffer
时钟发生器
RTC
EPSON
SiTime
超低噪声OCXO
简介
利用恒温槽使内部石英晶体谐振器的温度保持恒定，将周围温度变化对振荡器输出频率的影响降低到最小的晶体振荡器
产品图片 产品系列 封装尺寸（mm） 标称频率 频率误差 工作温度 规格书 样品申请
晶体振荡器
高频超低噪声YOV2525DP
25x25x12.7
80～120MHz
≤±5ppb
-40～+85℃
晶体振荡器
样品申请
晶体振荡器
高频超低噪声
YOV3627DP
36x27x12.7
80～120MHz
≤±5ppb
-40～+85℃
晶体振荡器
样品申请
晶体振荡器
高秒稳超低噪声
YOV2525DP
25x25x12.7
5～10MHz
≤±0.5ppb
-40～+85℃
晶体振荡器
样品申请
晶体振荡器
高秒稳超低噪声
YOV3627DP
36x27x12.7
5～10MHz
≤±0.5ppb
-40～+85℃
晶体振荡器
样品申请
晶体振荡器
高秒稳超低噪声
YOV5050DP
50x50x15
5～10MHz
≤±0.5ppb
-40～+85℃
晶体振荡器
样品申请
超高稳OCXO
产品图片 产品系列 封装尺寸（mm） 标称频率 频率误差 工作温度 规格书 样品申请
晶体振荡器
超高稳
YOV2020DP
20.2x20.2x10
5~100MHz
≤±0.5ppb
-40～+85℃
晶体振荡器
样品申请
晶体振荡器
超高稳
YOV2522SM
25.4x22x12
5～100MHz
≤±0.2ppb
-40～+85℃
晶体振荡器
样品申请
晶体振荡器
超高稳
YOV2525DP
25.4x25.4x12.7
5~100MHz
≤±0.2ppb
-40～+85℃
晶体振荡器
样品申请
晶体振荡器
超高稳
YOV3627DP
36.2x27.2x13
5～100MHz
≤±0.1ppb
-40～+85℃
晶体振荡器
样品申请
晶体振荡器
超高稳
YOV5050DP
50.8x50.8x15.0
5～200MHz
≤±0.01ppb
-40～+85℃
晶体振荡器
样品申请
小型化OCXO
产品图片 产品系列 封装尺寸（mm） 标称频率 频率误差 工作温度 规格书 样品申请
晶体振荡器
小型化
YOV0907SM
9.7x7.5x3.9
10～100MHz
≤±20ppb
-40～+95℃
晶体振荡器
样品申请
晶体振荡器
小型化
YOV1409SM
14.4x9.5x6.5
10～100MHz
≤±5ppb
-40～+85℃
晶体振荡器
样品申请
国产化OCXO
产品图片 产品系列 封装尺寸（mm） 标称频率 频率误差 工作温度 规格书 样品申请
晶体振荡器
国产化
YOV2020DP
20.2x20.2x10
5~100MHz
≤±0.5ppb
-55～+85℃
晶体振荡器
样品申请
晶体振荡器
国产化
YOV2525DP
25x25x12.7
5~100MHz
≤±0.2ppb
-55～+85℃
晶体振荡器
样品申请
晶体振荡器
国产化
YOV3627DP
36x27x12.7
5~100MHz
≤±0.1ppb
-55～+85℃
晶体振荡器
样品申请
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